固态硬盘寿命有多长?

闪存的类型

闪存芯片中，除了我们耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外，还有一种叫QLC闪存芯片。

SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快，寿命长，价格超贵(约MLC 3倍以上的价格)，约10万次擦写寿命。

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电值。因此，要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度中等，寿命中等，价格比SLC便宜，约3000---10000次擦写寿命。

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，111、110、101、011、010、001、000。最大特点就是速度慢寿命短，约500-1000次擦写寿命，但价格是三者最低的。

QLC = Quad-Level Cell，我们知道，TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，QLC闪存则是存储4位电荷，有16种状态。这意味着QLC闪存单位存储密度更大，是TLC的2倍，单颗芯片可达到256GB甚至512GB。但是，也因如此，QLC闪存的电压更难控制，写入速度更低，可靠、稳定性及寿命比TLC更差。

固态硬盘怎么存储?

同机械硬盘原理区别很大，固态硬盘是用NAND Flash来存储数据。NAND Flash在物理结构上是由一个一个的“块”组成。每个块都有一定的擦除寿命(P/E)，当擦除寿命达到时，这个块就会损坏了。不知道大家注意没有，现在的固态硬盘和机械硬盘不同，容量都是120GB、240GB、480GB、960GB，而不是我们通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似规格的容量，其实都是用来校验数据和备份冗余这些“块”的。

理论上，TLC闪存是为了能够支持100TB级别的固态硬盘而设计出来的闪存结构(密度大)，当然，这仅仅是理论支持而已，成本上依然不能让普通用户接受。所以存储密度更大的QLC出现，就是进一步加强固态硬盘容量的技术变革。小编预测QLC闪存的固态硬盘推出时，将是真正TB(960GB)级别固态硬盘走向普及的第一步(当然不要幻想和机械硬盘同量同价哦)。而且在超大容量面前，写入次数少的问题也可以依靠更多的冗余来弥补，更何况擦除寿命这个事儿，本身就没什么可担心的。

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